WD 开发 Low-Latency Flash 低延迟储存技术

平过 DRAM!!但比 3D NAND 速度更快

 
在较早前举行的 Storage Field Day 18 中，Western Digital 宣布正开发一种名为“Low-Latency Flash”的全新低延迟驱动器，“Low-Latency Flash”的定位介乎在 DRAM 及3D NAND 之间，比普通 3D NAND 拥有更快的速度，而价钱则比 DRAM 更便宜，与 Intel Optane 及 Samsung Z-NAND 储存器相类似。

在 2015 年，2D 技术瓶颈越发凸显，Flash 原厂纷纷向 3D 技术转移，旨在降低每 GB 的成本，经过 32 层和 48 层 3D NAND 的发展，当前主流的 64 层 3D NAND 已较 2D NAND 成本低，使得 NAND Flash 价格从 2017 下半年开始下滑，下一代 96 层  3D NAND 成本将更低。 

Western Digital 储存产品解决方案副总裁 Luca Fasoli 表示：“全新的 Low Latency Flash ( LLF ) 技术主打低延迟、高性能和长寿命，实际上可以创造出非常快速的定制设备，延迟处于微秒 (μs) 级范围内。”

第一代的 LLF NAND 将会属于 Toshiba BiCS 4 Flash 家族，与传统的SSD相比，LLF 的性能要比 RAM 大得多，而成本将会是 DRAM 的 1 / 10，Western Digital 未有进一步透露有关LLF产品的细节，但则表示 LLF 新技术会跟 3D NAND 一样，随着技术的不断发展，成本会不断下滑。