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Samsung PCIe 4.0 NVMe SSD 读写性能翻倍!

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-09-22
 Samsung 宣布正式量产第 6 代 V-NAND ,并于同场展出世界首款获 AMD 及 ODCC 认证的 PCIe 4.0 NVMe SSD ,将提供高达 128K 的读写性能,是现有 PCIe 3.0 产品的 2 倍。

高达 136 层的 V-NAND

Samsung 的 V-NAND 3D Flash 自 2013 年推出以来,至今发展至第 6 代,在 Samsung 的产品规划更至第 10 代的产品。第 6 代 V-NAND 将提供高达 136 层架构,大大提高容量,而且速度方面达到 1200Mbps ,也比上一代产品的 500~800Mbp 为高。在场 Samsung 表示,随着智慧城市及 5G 技术的发展,将对于存储产品提出更高的性能要求,像 AR/VR 、 IoT 及 4K 应用往往需要 1GB/s 以上的性能,这是新产品的用武之地。

第 6 代 V-NAND 拥有 1200Mbps 读取速度

同场展出 PMI733 PCIe 4.0 NVMe
同场 Samsung 还展出 PMI733 PCIe 4.0 NVMe SSD 产品,以企业存储为主。该款产品也是世界首款获 AMD 及 ODCC 认证的 PCIe 4.0 NVMe SSD ,存储性能极高,在 Seq. Read 及 Seq. Write 最高均达到 128K 以上,是 PMI723b PCIe 3.0 NVMe SSD 的 2 倍以上。新产品主要配合 AMD 新出的 EPYC 7002 7nm Server/Workstation 为主,针对的应用包括 8KB Video Editing 、 AI 、 Deep Learning 及 100/400GbE 网络等等。
  • Samsung PCIe 4.0 NVMe SSD 最高读写速度可达到 128K 以上
  • PMI733 HHHL 样品。采用卡的形式,读写速度分别为 8000MB/s 及 3800MB/s。
  • PMI733 2.5” 样品。采用 U.2 Form Factor,读写速度分别为 6400MB/s 及 3800MB/s。