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英特尔665p SSD升至96层3D QLC,下一代144层QLC更吸睛

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-11-26
早在9月份英特尔就对外展示了665P系列SSD,当时并没有公布细节,近日英特尔更新了新一代665p系列SSD产品的参数细节。据悉,英特尔665p SSD将提供1TB和2TB容量,其中1TB版本将于2019年底上市,而2TB将在2020年第一季度上市。

665p SSD升级至96层QLC NAND,容量TB起跳,性能更优

2019年三星、铠侠、西部数据、美光、英特尔、SK海力士等全面升级到96层3D NAND,导入的产品线包括SSD、UFS、Micro SD等产品,更推动TB产品广泛应用。
相较于上一代660p SSD,英特尔665P SSD容量取消了512GB,从TB级起跳,主要因为其采用的是先进的96层QLC 3D NAND技术,采用慧荣的SM2263主控,而上一代660P采用的是64层3D QLC NAND,规格形态是M.2 2280,满足当今PC、平板等终端电子产品对存储不断增长的需求。
与上一代660p SSD比较,英特尔665p性能更高。英特尔665P SSD采用的是PCIe 3.0 x4和NVMe规范协议,性能方面,顺序读写速度均可高达2,000 MB / s,随机4KB读写速度也均可高达250K IOPS,相较于660p顺序读写速度最高1,800 MB / s和随机读写速度最高220K IOPS性能更高。
在耐用性方面,1TB写入容量从200TB增加到300TB,2TB写入容量则从300TB跃升至600TB,功耗不变,工作时100mW,空闲时40mW,SLC高速缓存提高速度和使用寿命,提供5年有限保修。

三星、SK海力士角逐128层TLC NAND,英特尔144层QLC NAND吸睛

在三星和SK海力士6月份宣布推出128层3D TLC NAND 5个月后,三星和SK海力士再次宣布新技术步入送样或量产阶段,再次引爆3D NAND技术大战。
三星已量产128层256Gb TLC NAND,并用于生产250GB SATA SSD,如今128层512Gb TLC 3D NAND也步入了量产阶段,将加快导入到SSD和eUFS中应用。
SK海力士则宣布11月份已向主要客户交付基于128层1Tb 4D TLC NAND的工程样品,并较预期提前量产。同时,SK海力士基于该技术将推出1TB UFS 3.1、2TB客户端cSSD、16TB企业级eSSD,从2020年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。
据目前了解,除了三星和SK海力士,西部数据、铠侠、美光下一代3D NAND的技术节点也是在128层TLC NAND上,而英特尔144层3D QLC NAND技术将于明年推出,让人备受期待。
在2018年之前,英特尔和美光一直保持在NAND Flash方面的合作,也包括3D Xpoint的研发上,随着美光在2018年10月份全资控股IMFT公司,2019年10月正式完成收购,并支付英特尔12.5亿美元的“分手费”,双方在96层3D NAND技术之后,以及二代3D XPoint技术上各自走向独立,这也是英特尔和美光在下一代3D NAND技术上不同调的原因之一。
据英特尔之前报道,英特尔规划在2020年推出144层3D NAND,是基于QLC,且容量为1Tb,从层数上而言,要较其他原厂的128层高出12.5%,QLC相较于TLC容量更大,但量产的容量都集中在1Tb,这将加速闪存产品向TB级普及,E1.L或U.2规格SSD可望向30TB或更高容量发展。