英特尔665p SSD升至96层3D QLC，下一代144层QLC更吸睛

早在9月份英特尔就对外展示了665P系列SSD，当时并没有公布细节，近日英特尔更新了新一代665p系列SSD产品的参数细节。据悉，英特尔665p SSD将提供1TB和2TB容量，其中1TB版本将于2019年底上市，而2TB将在2020年第一季度上市。

2019年三星、铠侠、西部数据、美光、英特尔、SK海力士等全面升级到96层3D NAND，导入的产品线包括SSD、UFS、Micro SD等产品，更推动TB产品广泛应用。

相较于上一代660p SSD，英特尔665P SSD容量取消了512GB，从TB级起跳，主要因为其采用的是先进的96层QLC 3D NAND技术，采用慧荣的SM2263主控，而上一代660P采用的是64层3D QLC NAND，规格形态是M.2 2280，满足当今PC、平板等终端电子产品对存储不断增长的需求。

与上一代660p SSD比较，英特尔665p性能更高。英特尔665P SSD采用的是PCIe 3.0 x4和NVMe规范协议，性能方面，顺序读写速度均可高达2,000 MB / s，随机4KB读写速度也均可高达250K IOPS，相较于660p顺序读写速度最高1,800 MB / s和随机读写速度最高220K IOPS性能更高。

在耐用性方面，1TB写入容量从200TB增加到300TB，2TB写入容量则从300TB跃升至600TB，功耗不变，工作时100mW，空闲时40mW，SLC高速缓存提高速度和使用寿命，提供5年有限保修。

在三星和SK海力士6月份宣布推出128层3D TLC NAND 5个月后，三星和SK海力士再次宣布新技术步入送样或量产阶段，再次引爆3D NAND技术大战。

三星已量产128层256Gb TLC NAND，并用于生产250GB SATA SSD，如今128层512Gb TLC 3D NAND也步入了量产阶段，将加快导入到SSD和eUFS中应用。

SK海力士则宣布11月份已向主要客户交付基于128层1Tb 4D TLC NAND的工程样品，并较预期提前量产。同时，SK海力士基于该技术将推出1TB UFS 3.1、2TB客户端cSSD、16TB企业级eSSD，从2020年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。

据目前了解，除了三星和SK海力士，西部数据、铠侠、美光下一代3D NAND的技术节点也是在128层TLC NAND上，而英特尔144层3D QLC NAND技术将于明年推出，让人备受期待。

在2018年之前，英特尔和美光一直保持在NAND Flash方面的合作，也包括3D Xpoint的研发上，随着美光在2018年10月份全资控股IMFT公司，2019年10月正式完成收购，并支付英特尔12.5亿美元的“分手费”，双方在96层3D NAND技术之后，以及二代3D XPoint技术上各自走向独立，这也是英特尔和美光在下一代3D NAND技术上不同调的原因之一。

据英特尔之前报道，英特尔规划在2020年推出144层3D NAND，是基于QLC，且容量为1Tb，从层数上而言，要较其他原厂的128层高出12.5%，QLC相较于TLC容量更大，但量产的容量都集中在1Tb，这将加速闪存产品向TB级普及，E1.L或U.2规格SSD可望向30TB或更高容量发展。