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EUV进入3nm最大绊脚石是光刻胶

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-03-17
过往 EUV 技术的临界多在光源,因为光源的功率不足,会影响芯片的生产效率,这也过去多年以来EUV技术一直在推迟量产的原因。ASML花了很多间解决光源的问题,也在2013年收购美国光源制造商Cymer。
目前ASML的光源功率可以达到250w,在此功率下,客户可以达到每小时155片晶圆吞吐量;在实验室里,则是可以实现超过300w的光源功率。
光源问题解决后,EUV技术被提出最多的挑战即是光刻胶技术的限制。
光源功率后,EUV的瓶颈在光刻胶
虽然半导体材料的供应都十分集中,但光刻胶技术应该算是全球集中度最高,且壁垒最高的材料,日本和美国合计占市场份额高达95%。
在248nm和193nm的光刻中,主流有超过20年之久都是使用化学放大光刻胶CAR,这是一种用来制作图案成形的光敏聚合物。在EUV技术下,光子撞击CAR光刻胶并产生光酸,之后CAR光刻胶在曝光后的过程中进行光酸催化反应,进而产生光刻图案。
不过,当CAR光刻胶用于EUV上,因为光源能量大幅增加,可能会出现不同且复杂的结果,进而影响芯片良率。
因此,半导体设备,材料商都想尽各种方式,或者提出新的光刻胶技术解决方案,让EUV技术可以持续使用,延续摩尔定律的寿命。
近几年不同的新EUV光刻胶技术陆续问世,例如也是液态式的金属氧化物光刻胶,或是干式的光刻胶等,在整个半导体产业链生态中,这是一次材料革新带来的巨大商机。
EUV进入3nm最大绊脚石是光刻胶 新材料暗潮汹涌要搏出位

台积电即将量产全球最先进的5nm工艺技术,在摩尔定律看似顺遂推进下,材料技术发展的重重阻碍却在台面下暗潮汹涌地蠢动着。
2019年于美国硅谷登场的一场半导体光刻技术研讨会中,业界就提出半导体工艺蓝图虽然在未来10年可以一路推进至1nm,却可能因光刻胶材料的瓶颈,让工艺发展到3nm节点时就出现警讯。
这揭示着要延续摩尔定律的生命,需要整个半导体产业链中的材料,设备,制造等各个细分齐心竭力,像是游戏闯关般解开一道道技术难题,才能顺利往目的地前进。
EUV是如何成为摩尔定律的推手?
业界指出,透过极紫外光EUV正式迈入商用化,台积电、三星都已成功将EUV技术导入7nm并开始量产,但业界仍是看到一些技术和材料上的隐忧,其中一个巨大的挑战,就是进入3nm工艺,需要成本降低,分辨率更高的EUV光刻胶技术。
光刻技术的发展历程中,在初期,半导体大厂也是利用193nm沉浸式光刻和多重曝光,将工艺推展至10nm 和7nm波长,但是实现特定图形变得越来越困难,并且多重曝光也带来了生产成本的上升。
在引入EUV光刻技术后,EUV所扮演的角色是7nm逻辑工艺的关键光刻层。在芯片制造商引入前,EUV是由光刻机,光源,光刻胶和光掩膜所组成。
过往 EUV 技术的临界多在光源,因为光源的功率不足,会影响芯片的生产效率,这也过去多年以来EUV技术一直在推迟量产的原因。ASML花了很多间解决光源的问题,也在2013年收购美国光源制造商Cymer。
目前ASML的光源功率可以达到250w,在此功率下,客户可以达到每小时155片晶圆吞吐量;在实验室里,则是可以实现超过300w的光源功率。
光源问题解决后,EUV技术被提出最多的挑战即是光刻胶技术的限制。
光源功率后,EUV的瓶颈在光刻胶
虽然半导体材料的供应都十分集中,但光刻胶技术应该算是全球集中度最高,且壁垒最高的材料,日本和美国合计占市场份额高达95%。
在248nm和193nm的光刻中,主流有超过20年之久都是使用化学放大光刻胶CAR,这是一种用来制作图案成形的光敏聚合物。在EUV技术下,光子撞击CAR光刻胶并产生光酸,之后CAR光刻胶在曝光后的过程中进行光酸催化反应,进而产生光刻图案。
不过,当CAR光刻胶用于EUV上,因为光源能量大幅增加,可能会出现不同且复杂的结果,进而影响芯片良率。
因此,半导体设备,材料商都想尽各种方式,或者提出新的光刻胶技术解决方案,让EUV技术可以持续使用,延续摩尔定律的寿命。
近几年不同的新EUV光刻胶技术陆续问世,例如也是液态式的金属氧化物光刻胶,或是干式的光刻胶等,在整个半导体产业链生态中,这是一次材料革新带来的巨大商机。
新EUV光刻胶技术百家争鸣
美国有一家材料商Inpria就很积极投入EUV光刻胶技术,这是一家2007年从俄勒冈州立大学化学研究所独立出来的公司,传出之后获得许多半导体公司如三星、英特尔等投资。
Inpria是研发负性光刻胶,其分子大小是CAR有机光刻胶的5分之1,重点是光吸收率可达CAR的4-5倍,因此能更精密,更准确地让电路图形成形。
主要是因为,2019年日本对韩国进行EUV光刻胶的出口管制,让韩国的半导体公司为了寻找替代和创新的解决方案的态度比其他半导体大厂是更加积极。
根据估计,韩国半导体有90%以上的光刻胶技术是仰赖日本供应,EUV光刻胶也同样是高度仰赖日商。
三星和台积电是全球迁移引入EUV工艺的两大半导体厂,双方从7nm一路缠斗至今,台积电都是一路领先,未来要决胜3nm工艺结点,三星必须要材料上有完全把握,才能再次一宣战。
根据调研机构IC Insights统计,尺寸小于10nm的半导体产量将从2019年的每月105万片晶圆,增加到2023年每月627万片,且未来几年内EUV将主导7nm以下的大部分工艺技术。
7nm以下先进工艺的产能大增,也代表整个业界对于新的EUV光刻胶技术,以及不同来源的材料需求更为迫切。
近期还有一种新的EUV光刻胶技术,也备受关注,由Lam Research和光刻机龙头ASML、比利时微电子中心imec联手研发,提出了一种全新的EUV干式光刻胶技术,目的是取代传统的CAR光刻胶,这对于半导体工艺的演进,可能会是一个巨大的突破。
问芯Voice特别专访Lam Research执行副总裁兼首席技术官Rick Gottscho。他表示,这个新技术的优势在于提升EUV的敏锐度和分辨率,更可以减少原本5-10倍的光刻胶使用量,在成本节约上带来显著成果。
Lam独创提出EUV干式光刻胶
在当今业界以有机化学放大光刻胶CAR和无机光刻胶n-CAR 为主下,都是采用液态光刻胶技术,只有LAM Research提出的新型 EUV 光刻胶技术是基于干式沉积的技术。
Gottscho表示,目前主流的光刻胶技术是有机化学放大光刻胶Organic Chemical Amplified Resist (CAR) ,是将液态光刻胶搭配涂布机Track设备旋涂到晶圆上,在使用溶剂曝光后去除。
Lam Research开发出来的新式干式光刻胶技术,是有别于传统液态光刻胶的涂布方式,改在腔体中进行化学反应,让干式光刻胶在化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)中制造,之后再以刻蚀工艺去除。
这样的EUV干式光刻胶的优点在于提升成像的敏感度,分辨率和EUV曝光的分辨率。
更重要的是,由此新技术改善每片EUV工艺晶圆的成本。因为EUV设备正被全球半导体大厂引入大量生产中,促使推动半导体技术进入更先进的工艺。
Gottscho强调,Lam Research的干式光刻胶技术可以使用更低剂量的光刻胶,几乎是减少5-10倍的使用量,就达到更高分辨率,并扩大process window,EUV可以更为精准地刻画电路图形,同时为客户节省运营成本。
LAM Research与ASML,imec的跨界技术结盟合作是历史久远。
荷兰设备大厂ASML是EUV光刻技术的龙头,LAM Research的优势在于刻蚀和沉积工艺,imec则是长期专注于研发技术的创新,三方合作有信心可以突破常规传统,发展出创新的技术,以延展EUV技术到更为先进的工艺例程上。
半导体业者则是分析,传统的CAR光刻胶技术大概从1980年代的248nm曝光机就开始用了,主要的光刻胶涂布机供应商以日商为首的东电电子TEL。
因此,这次Lam Research与ASML和imec研究出来的EUV干式光刻胶技术,可能与日本设备材料厂商形成两个阵营,冲破既有的半导体技术规则,为产业带来深远的改变。
根据调研机构芯思想研究院(ChipInsights)统计,2019 年全球半导体设备商前10强(不含服务收入和部分材料)中,Lam Research位居第四名,仅次于应用材料、ASML、东电电子TEL。
Lam Research的长板在于前端晶圆处理技术,包括薄膜沉积、等离子刻蚀、光阻去除、芯片清洗等前道工艺方案、后道晶圆级封装(WLP)等。三大核心产品是分别为刻蚀设备、沉积设备,以及去光阻和清洗设备。
国内也有半导体光刻胶的供应商,只是现有技术和市场份额距离国际水平仍非常远,比较为人有所为的五家光刻胶供应商为北京科华,晶瑞,南大光电,容大感光,上海新阳等。