创见推出高效DDR4-3200工业用记忆体模组

全球工业用记忆体储存领导品牌创见资讯（Transcend Information, Inc.）近期推出全新系列DDR4-3200工业用记忆体模组，具备3200MHz的高传输频宽、低延迟、工作电压仅1.2V等低耗电特色，迎接来势汹汹的5G通讯发展和智能边缘运算需求。

此系列产品包含Unbuffered Long-DIMM、Unbuffered SO-DIMM、ECC Long-DIMM、ECC SO-DIMM以及Registered Long-DIMM规格，为市场中多元化的介面规格需求所设计。

创见DDR4-3200记忆体模组皆符合JEDEC设计规范，适用于Intel、AMD与ARM处理器，提供嵌入式电信通讯、博弈、智能照护和车载应用等AIoT领域更有力的辅助。

创见工业用记忆体模组所使用的DRAM晶片来自顶级原厂颗粒，属于品质最高的晶片等级。经过原厂完整且严格的测试程序，打造极致品质与可靠度。随着5G建设日益普及，各产业对高效能、大容量的记忆体需求日益提高。创见DDR4-3200 记忆体模组除各式规格外，也提供企业 8 GB到32 GB等不同容量，满足从核心到边缘的超频需求，应用层面遍及高阶伺服器、电脑、工作站、无人装置、AI配件及智能系统。

DDR4仅需以1.2V的电压即可运作，所需能源远低于DDR3、DDR2与DDR。DDR4能以有效的能源分配，支援核心处理器与主机板，以因应庞大记忆体容量的需求。5G世代消弭了电信与电脑的分野，边缘装置互相联通，需处理即时产生的海量资料，因此快速回应时间的需求日益提高。DDR4-3200主打低延迟特性与3200MT/s的超高速，让5G世代的资料传输和电脑运算更加畅行无阻。