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十铨T-FORCE CARDEA IOPS SSD

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-01-23
T-FORCE CARDEA IOPS SSD / 石墨烯、铝鳍片散热任你选、高 IOPS 性能游戏读取更快速
十铨近期针对玩家需求,推出了一些新款的记忆体及储存产品,其中全新的 T-FORCE CARDEA IOPS SSD 提供了超薄石墨烯 SSD 散热模组及铝鳍片散热装甲两种散热模组,让玩家自己选择合适的散热方式,另外除了拥有高速的读/写速度之外,还主打强大的 IOPS 性能,让其能相对于市场上常见的款式,更有感的让玩家提升使用体验。
规格:容量:1TB介面:PCIe Gen3 x4 with NVMe 1.3最高循序读/写速度:3,480 / 3,000 MB/s (Crystal Disk Mark)读/写 IOPS:680,000 / 670,000 IOPS保固:五年
全新的 T-FORCE CARDEA IOPS SSD 定位为 PCIe Gen3 x4 顶规的款式,速度部分提供了 3,480 / 3,000 MB/s 的循序读写,性能上绝对是足够的,不过针对游戏等方面,十铨在设计上透过提升 IOPS 表现,官方表示能让玩家可以获得更短的游戏载入时间,有感提升使用体验。
在设计上承袭了 CARDEA ZERO 系列获得台湾发明专利的超薄石墨烯 SSD 散热模组,能够提供 9% 的散热性能,不过对于追求更好的散热或稳定性的玩家,也有提供铝鳍片散热模组,安装后能提供 高达 15% 的散热性能,而这两个散热模组都是作为配件提供,玩家需要自行安装,而如果玩家想要直接使用主机板上的散热片,也就不用拆拆装装了。 
在主控部分,这次选用近期常见的 PHISON PS5012-E12S 主控,由于其可以支援 TLC、QLC 等 3D NAND 记忆体颗粒,因此即便这次 MP400 用上的是 3D QLC NAND 记忆体颗粒,也能直接支援,不需要更换主控。记忆体颗粒选用的是 Toshiba TABBG65AWV BiCS4 3D TLC NAND 记忆体颗粒。DRAM 快取部分搭配一颗 Kingston D1216ECMDXGJD 的 DDR3/3L 256MB 快取颗粒。PHISON PS5012-E12S 主控、PHISON PS6102-22 电源控制管理晶片。Toshiba TABBG65AWV 记忆体颗粒。正反面各有一颗 Nanya DDR3L SDRAM 快取。 
T-FORCE 在记忆体部分有提供 SSD SMART TOOL 软体,透过这套软体可以查看 SSD 的基本资讯,介面部分可以查看温度、各项功能、 状态等,让玩家方便进行监控。另外软体也能进行基本的读写性能测试,让玩家可以参考硬体性能。
T-FORCE CARDEA IOPS SSD 从 Crystal Disk Info 中可以看到,产品支援 S.M.A.R.T、TRIM、Volatile Write Cache。温度部分待机温度为 28 度,运行 CrystalDiskMark 测试下,无散热片状态温度为 68 度,搭配超薄石墨烯 SSD 散热模组温度为 63 度,搭配铝鳍片散热模组温度为 45 度,另外搭配 ASRock Z490 PG Velocita 主机板本身 M.2 散热片温度为 48 度,供玩家参考。
在性能测试部分,这次选择 CrystalDiskMark、ATTO Disk Benchmark 及 TxBENCH 做测试,在测试结果部分皆有达到与标示相近的循序读/写速度 (循序读取 3,480 MB/s 及循序写入 3,000 MB/s) ,而由于 T-FORCE CARDEA IOPS SSD 高 IOPS 性能,这边也使用了 AS SSD 进行测试,在 4K-64Thrd 测试中获得读取 500K IOPS 及写入 657K IOPS 的性能表现。
CrystalDiskMark 测试,循序读取 3386.34 MB/s、循序写入 3026.56 MB/s、R70%/W30% 混和读写 3232.30 MB/s。ATTO Disk Benchmark 测试,循序读取 3.16 GB/s、循序写入 2.82 GB/s。TxBENCH Basic Benchmark 测试,循序读取 3324.881 MB/s、循序写入 3055.022 MB/s。AS SSD Benchmark 测试,4K-64Thrd 读取 500913 IOPS、写入 657745 IOPS。 
PCMark 10 的 Full System Drive Benchmark 使用一系列应用程式来模拟日常系统使用下,储存装置的存取速度,测试结果获得 3743 分的成绩,频宽有着 561.41 MB/s、平均存取时间 42 μs,而 Data Drive Benchmark 测试结果获得 1872 分的成绩,频宽有着 307.50 MB/s、平均存取时间 92 μs。
T-FORCE CARDEA IOPS SSD 经过测试后,表现在读写方面可以说是无庸置疑,可以算是 PCIe Gen3 x4 中顶规的表现,不过更值得注意的是,实测下可以测得读写超过 500K IOPS 的表现,虽然数据与官方标示有些差距,但如此性能在消费级 SSD 产品中相对少见。
十铨希望透过 T-FORCE CARDEA IOPS SSD 这款产品,以提升 IOPS 性能,来加速游戏载入速度,让玩家对于 SSD 产品升级能更有感,当然也能让玩家知道并非循序读写速度越快,就对游戏体验有帮助。