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强化存取效能、提供更小容量选择,WD发表新款NVMe SSD

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2023-08-30
延续去年上半推出的NVMe固态硬盘SN650的特性,WD推出加强版产品SN655,具有更高的存取效能、可靠度,以及两个连接埠.今年8月快闪记忆体高峰会进行期间,WD发表新款NVMe固态硬盘Ultrastar DC SN655,相较于2022年5月推出的Ultrastar DC SN650,两者大部分规格都相似,例如,皆采用PCIe 4.0介面,导入自家开发、支援NVMe 1.4b标准的控制器,以及112层堆叠设计的BiCS5 TLC 3D NAND快闪记忆体,每日写入量为1,外形为2.5吋U.3(可相容于U.2),以及提供5年有限保固。
而在企业级产品功能的部分,两款产品均内建断电保护(Power Loss Protection)、资料路径全程保护(End-to-End data Path Protection)、可变式储存区块(Variable Sector Sizes),以及支援NVMe管理介面标准NVMe-MI 1.1b。
关于支援的应用场景类型,两者也相同,例如,可用于云端资料中心、横向扩展或软体定义解决方案、大数据、NoSQL或分散式资料库、AI/ML深度学习、资料归档。
但SN655在部分项目的配置,略胜SN650一筹。例如,储存容量有7.68 TB、15.36 TB等选择,还提供3.84 TB的规格,可靠性/平均故障间隔时间(MTBF)达到250万小时(SN650为200万小时),而且本身也提供两个连接埠(dual-port),具有更高的备援与容错能力。
就存取效能方面而言,15.36 TB机型的SN655循序读写最高为6.8 GB/s与3.7 GB/s(SN650为6600 MB/s与2800 MB/s),随机读写最高为110万IOPS与12.5万IOPS(SN650为97万IOPS与10.9万IOPS),读写延迟为100微秒与10微秒(SN650为120微秒与20微秒)。
在安全销毁等级的搭配上,SN655针对3种储存容量,均提供SE(Secure Erase)、ISE(Instant Secure Erase),以及TCG-Ruby。前两种安全销毁规格在传统硬盘与固态硬盘相当常见,SE不加密资料,ISE则会加密资料,SN650也不例外;至于后者,则是信赖运算组织(TCG)储存工作小组订定的一种安全子系统类别(SSC),主要针对的是NVMe与采用其他新技术而成的储存装置,过去硬盘产品较常见的这类规格是TCG Enterprise与TCG Opal。

产品资讯
WD Ultrastar DC SN655
●原厂:WD
●建议售价:厂商未提供
●储存容量:3.84、7.68 TB、15.36 TB
●耐写度:每日写入量为1
●外形:2.5吋U.3(厚度为15公厘)
●储存媒体:3D NAND,TLC(BiCS5)
●最高读写速度:循序6.8 GB/s与3.7 GB/s,随机110万IOPS与12.5万IOPS
●使用介面:PCIe 4.0 x4/NVMe 1.4
●可靠度:250万小时MTBF
●保固期间:5年
【注:规格与价格由厂商提供,因时有异动,正确资讯请洽厂商】