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台积电、三星和格芯相继宣布和美国国防部合作生产国防军用芯片

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-02-17
美国释出积极鼓励国防芯片在地制造的讯息之后,各大晶圆代工厂抢单战随之开打。台积电、三星陆续抢进美国制造之后,全球第四大晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)也宣布,和美国国防部合作,将在2023年开始在美国纽约Fab 8厂区生产国防军用芯片。
台积电2020年5月率先和美国联邦政府及亚利桑那州共同宣布,将在美国设立第二个生产基地,今年动工后,目标2024年开始量产,2021年至2029年专案投资120亿美元,目标该厂5奈米制程的月产能为2万片12吋晶圆。
虽然台积电并未宣布当地制造的合作对象,不过,业界盛传是配合美国客户在当地国防工业芯片的在地制造需求。
不让台积电专美于前,三星与格芯近期都积极在美国展开购地扩产布局,三星去年底已经向德州提出申请奥斯汀十年期投资约170亿美元,主要用于扩产。
依据三星向德州提出的文件资讯,业界分析,从三星规划来看,推估该新厂制程也会是5奈米以下的先进制程生产,外传计划最大月产7万片,终端应用是国防相关伺服器所需芯片生产。
在台积电、三星之后,格芯也宣布美国的购地扩建新计划。格芯将和美国国防部建立战略合作关系,格芯计划在新的供应协议之下,由美国纽约Fab 8厂区购地扩建、并完成认证后,2023年开始出货首批国防专用芯片。
格芯指出,该公司过去和美国国防部合作已久,包含在旗下美国佛州Fab 9与纽约的Fab 10生产其他地面设施所需芯片,此次合作协议扩及至国防、航太与其他敏感应用芯片所需。
依据美国国防部声明,与格芯的协议是最近参议院多数党支持的《美国CHIPS法案》的初步进展,该法案主要是支持与加强美国国防供应链半导体芯片的制造能力。