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联电:扩建南科P5厂,以12英寸28nm以下制程为主

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-04-06
据台媒报导,联电产能供不应求,今年资本支出大增五成至15亿美元。联电表示,今年多数资本支出将用于扩建南科P5厂,主要以12英寸28nm以下制程为主,聚焦5G智能手机、数据中心边缘运算、电动车与自动驾驶等,发展所需的各式晶圆特殊制程技术及产能布建。
联电2020年营运大翻身,获利创14年新高,每股纯益为20年新高,今年受惠智能手机、远距应用及车用电子等需求畅旺,联电产能利用率维持满载。
为了满足客户强劲需求,联电今年资本支出将达15亿美元,较去年的10亿美元增加50%,其中,85%的资本支出将投入12英寸厂,主要以28nm以下制程为主,15%的资本支出投资8英寸厂。
联电曾表示,预估今年28nm的营收贡献将由去年14%占比大幅提高到25%,这代表联电今年营收与获利将持续成长。