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极速 7.1GB/s、120 万 IOPS !!CORSAIR MP600 PRO XT NVMe M.2 SSD

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-10-21
CORSAIR 推出全新终极版 MP600 PRO XT NVMe M.2 SSD,采用 PHISON PS5018-E18 控制器,搭配 Micron 全新 176 Layers 3D TLC NAND 颗粒,令性能进一步提升至 7,100MB/s Read,4K 随机读写更达至 1,200,000 IOPS Write 惊人水平,厂方提供 5 年保固服务,备有 1TB、2TB 及 4TB 容量可供选择。
CORSAIR 推出全新 MP600 PRO XT NVMe M.2 SSD,与 MP600 PRO 一样采用 PHISON E18 控制器,但 PRO XT 版换上了性能更强的 Micron 176 Layers 3D TLC NAND Layers,2TB / 4TB 版本可提供高达 7,100MB/s Read、6,800MB/s,4K IOPS 更高达 1,000,000 Read、1,200,000 Write,性能相较 PRO 版进一步提升,厂方提供最高 5 年保固。
这次收到厂方送测为 1TB 版本,型号为 CSSD-F1000GBMP600PXT,采用 M.2 2280 Form Factor、PCI Express 4.0 x 4 传输介面,支援 NVMe 1.4 传输规格,最高连续写入速度为 7,100MB/s Read、5,800MB/s Write,4K 最大 IOPS 高达 900,000 Read、1,200,000 Write,最高写入量写入量达 700 TBW。
为满足 PHISON PS5018-E18 与 176 Layers NAND 颗粒的散热需求,MP600 PRO XTG 采用了巨型阳极喷沙钛黑色铝挤散热器,搭合 1mm 厚身高系数导热垫,采用卡夹式结构能够轻松拆解,让用家直接使用主机板原装 M.2 散热器。 
CORSAIR Force MP600 PRO XT 采用 PHISON PS5018-E18 控制器,采用 TSMC 12nm制程、内建 32bit ARM Cortex R5 三核心处理器再搭配双 CoXProcessor 处理器,具备 8 Channel 、32CE 资料传输通道 ,每条 Channel 速度最高可达 1,600 MT/s,带来惊人 7.1GB/s 宽频与 120 万级 IOPS 性能,具备第 4 代LDPC 纠错引擎,强大的错误修正码技术能提升数据可靠性。
MP600 PRO 与 MP600 PRO XT 主要分别在于 NAND Flash 部份,MP600 PRO 是采用 Micron 96 Layers 3D TLC (B27B) 颗粒,PRO XT 则换上全新的 Micron IA7BG94AYA 3D TLC NAND (B47R) FortisFlash 颗粒,拥有高达 176 Layers,其读写延迟性能提升了约 35%,这方面最明显反映在 IOPS 上,写入速度亦明显增强,同时写入寿命也提升了 25%。 
板载 1 颗 SK Hynix H5AN8G6NCJR-VKC DDR4-2666 1GB (512M x 16) 记忆体颗粒、合共 1GB 缓存容量,作为储存 FTL 资料及缓存用途,能有效提升读写速度,加上随机写入数据由 SLC 区块处理,就能提供类似 SLC SSD 的快速反应时间、连续写入则直接传递给 TLC 块。