2纳米殊死战 明年白热化

对此传言，台积电不表示意见。
半导体业者表示，晶圆制造业是否大赚钱，取决制程量产后的良率，关键更在于良率爬坡速度，耗时越久、成本越高，三星虽号称弯道超车先发展GAA架构，但外传良率不佳，以至于无法打开市场。
据指出，台积电2纳米4月加速进机，一为争取先进制程良率爬坡时间，另也将对三星、英特尔持续造成威胁，并拉开领先优势。供应链透露，台积电已准备P1装机事宜，预计第四季试产、明年第二季量产；设备业者指出，日前已调派人手、并事先进行教育训练，因应台积客制化需求。
作为芯片制程新的里程碑，2纳米将提供更高性能和更低功耗；采纳米片（Nanosheet）技术结构，另外更发展晶背供电（backside power rail）技术。台积电认为，2纳米将可延续台积电技术领导地位，掌握AI成长商机。
2纳米芯片成本非常高，研调机构指出，相比3纳米成本将增加5成，每片晶圆单成本就将攀升至3万美元；因此，首批采用业者仍为智慧型手机芯片客户—苹果。
与3纳米不同的是，复杂化设计，客户须更早开始与台积电开发产品，市场猜测联发科、高通、超微与辉达等众多客户已展开合作；台积电法说会也强调，N2客户数量比起N3在同一个开发时点的还要多。
2纳米发展竞争激烈，ASML今年计划生产10台2纳米EUV光刻机，其中英特尔已预订6台；而日本倾全国之力成立之Rapidus半导体制造商，亦剑指2纳米制程。