韩媒：最快自9月起 三星将独家向英伟达供应12层HBM3E
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-03-25
据韩媒 alphabiz 消息，英伟达 (NVDA-US) 最快将自 9 月开始大量采购 12 层 HBM3E 存储器，这些存储器将由三星独家供货。
目前，SK 海力士供应了英伟达 AI 半导体中使用的大部分 HBM 产品，报导称，SK 海力士计划自本月末开始，大量生产 8 层 HBM3E 产品，但因部分工程问题，未能推出 12 层 HBM3E 产品。
今年 2 月 27 日，三星电子官方宣布成功开发出业界首款 36GB 12H（12 层堆叠）HBM3E DRAM 存储器。据称，HBM3E 12H 能够提供高达 1280GB/s 的频宽和迄今为止最大的 36GB 容量，相比于 8 层堆叠的 HBM3 8H，在频宽和容量上提升超过 50%。
在先前的 GTC 2024 中，黄仁勋曾在三星电子 12 层 HBM3E 实体产品上留下了“黄仁勋认证（JENSEN APPROVED）”的签名，而引起关注。不过，黄仁勋签名并不能保证立即被英伟达采用。 在大规模使用之前，英伟达可能会进行进一步的测试和评估。
英伟达已确认他们目前正在测试三星的 HBM3E 存储器，以便将其整合到 GPU 中。 两家科技巨头之间的合作可能会带来强大的新型显示卡。
SK 海力士目前是 HBM 市场的领导者，占据约 53% 的市场份额，而三星则占约 38% 的份额。 美国美光科技公司 (MU-US) 占剩余 9% 的份额。
在上周的例行股东大会上，负责公司芯片部门的三星总裁 Kyung Kye-hyun 表示，“今年将是（三星）全面复苏和增长的一年。”
目前，SK 海力士供应了英伟达 AI 半导体中使用的大部分 HBM 产品，报导称，SK 海力士计划自本月末开始，大量生产 8 层 HBM3E 产品，但因部分工程问题，未能推出 12 层 HBM3E 产品。
今年 2 月 27 日，三星电子官方宣布成功开发出业界首款 36GB 12H（12 层堆叠）HBM3E DRAM 存储器。据称，HBM3E 12H 能够提供高达 1280GB/s 的频宽和迄今为止最大的 36GB 容量，相比于 8 层堆叠的 HBM3 8H，在频宽和容量上提升超过 50%。
在先前的 GTC 2024 中，黄仁勋曾在三星电子 12 层 HBM3E 实体产品上留下了“黄仁勋认证（JENSEN APPROVED）”的签名，而引起关注。不过，黄仁勋签名并不能保证立即被英伟达采用。 在大规模使用之前，英伟达可能会进行进一步的测试和评估。
英伟达已确认他们目前正在测试三星的 HBM3E 存储器，以便将其整合到 GPU 中。 两家科技巨头之间的合作可能会带来强大的新型显示卡。
SK 海力士目前是 HBM 市场的领导者，占据约 53% 的市场份额，而三星则占约 38% 的份额。 美国美光科技公司 (MU-US) 占剩余 9% 的份额。
在上周的例行股东大会上，负责公司芯片部门的三星总裁 Kyung Kye-hyun 表示，“今年将是（三星）全面复苏和增长的一年。”
关闭返回