携三星突破20纳米门槛 意法推18纳米微控制器

意法半导体（ST）27日宣布联手三星突破20纳米技术屏障，共同研发18纳米完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体（FD-SOI）技术，并整合嵌入式相变记忆体（ePCM）的先进制程，使下一代嵌入式处理器能够大幅提升性能和降低功耗；搭载新技术的首款下一代STM32微控制器产品，将于2024下半年开始提供部分客户样片，并预计于2025年下半年排产。
意法半导体指出，高处理效能和大储存容量驱使目前正在使用微处理器开发产品的开发者，转向整合度更高且更具成本效益的微控制器。为此，该公司与三星晶圆代工厂携手，开发新技术提升超低功耗装置的效能。据悉，新制程能使下世代微处理器整合容量更大的记忆体和更多的类比和数位外部周边，提升成本竞争力；且该技术能够在3V电压下运行，可为类比功能提供电源，例如电源管理、重置系统、时钟源和数位/类比转换器等，是20纳米以下唯一支援此功能的半导体制程技术。
意法半导体进一步说明，相较于目前所用的40纳米嵌入式非易失性记忆体（eNVM）技术，新制程技术具备许多优势，像是性能功耗比提升50％以上；数位电路密度是现有技术三倍，可整合AI、图形加速器等数位外部周边及最先进的安全保护功能；以及非易失性记忆体（NVM）密度是现有技术2.5倍，可在晶片上整合容量更大的记忆体等。同时，该技术的耐高温运作、辐射硬化和资料保存期限已经过车用市场的检验，能够满足工业应用对可靠性的严格需求。
意法半导体透露，搭载新技术的首款下一代STM32微控制器产品，将整合ARM先进的Cortex M内核心，为机器学习和数位讯号处理应用带来更强的运算能力；而新一代产品预计于今年下半年开始客户提供样品，并于2025年下半年排产。