瑞萨成功开发鳍状快闪存储

瑞萨成功开发鳍状MONOS快闪存储器单元

瑞萨电子(Renesas)宣布成功开发首创采用鳍状电晶体的分离闸金属氧氮氧矽快闪记忆体(SG-MONOS)单元，适用于电路线宽仅16至14奈米(nm)或更精细的微控制器(MCU)制程，且其中晶片内建快闪记忆体。
SG-MONOS技术为汽车应用提供高度可靠性，同时该公司目前也运用此技术来量产40奈米MCU，并且正在开发28奈米MCU。此次成功开发展现SG-MONOS技术扩展至16/14奈米及以上制程的可能性。

汽车自动化方面的进展，例如先进驾驶辅助系统(ADAS)，以及透过物联网(IoT)连结的智慧型社会，创造了更先进MCU的需求，并采用更精密制程技术生产。为满足此需求，继最新的40/28奈米产品之后，瑞萨已开发以16/14奈米技术为基础的嵌入式快闪记忆体。在16/14奈米逻辑制程中，通常采用具有鳍状结构的鳍式场效电晶体(FinFET)，以实现更高的效能并降低功耗，克服传统平面电晶体的扩充限制。

但是，依照快闪记忆体的结构，在嵌入式快闪记忆体中，采用鳍状结构可能会成为一大挑战。目前已提出并实作的嵌入式快闪记忆体类型有两种：浮闸式与电荷撷取式。相较于浮闸式记忆体，瑞萨近年来采用的电荷撷取式快闪记忆体，具有优异的电荷保留特性，并且在需要高可靠性的汽车MCU中，已有优良的使用记录。