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MRAM小档案

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-03-15

DRAM(动态随机存取记忆体)以电荷来记忆处理资料,MRAM(磁阻式随机存取记忆体)是以磁性方向来做为记忆单元,DRAM记忆单元具有电荷代表1,没有则是0,记忆体必须一直充电,才不会失去原有的1与0讯息,不仅比MRAM耗电,一旦断电资料就会流失。


 MRAM的结构则是像三明治,上层是可自由翻转的磁铁,可快速处理资料,底层是像被夹子固定住的磁铁,负责储存资料,中间用氧化层隔开,当二磁铁的磁矩方向相同,自旋电子容易通过,形成低电阻代表1;磁矩方向相反时,变成高电阻,代表0。由于不运算时就不必供电,且运算到一半断电,资料也不会消失,未来采用磁性记忆体的手机、平板,待机时间至少可延长1倍。