NOR记忆体朝向高容量、低功耗、小尺寸发展

当前最受市场重视的储存产品，就属NOR Flash记忆体。这个一度被市场轻视的储存技术，现在不仅回了春，还翻身变成当红炸子鸡，产业界争相抢购，成了新冠疫情中，最耀眼的记忆体产品。

事实上，NOR跟NAND就好似亲手足的兄弟，因为两个技术都是由舛冈富士雄博士所研发，NOR还比较早问世（1980年），NAND则是再晚个几年（1986年），且两者都是属于非挥发记忆体的技术，并且是基于“电子抹除式可复写唯读记忆体（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM）”发展而来。

 读取快 嵌入式应用优势佳

虽然较早被研发出来，但NOR并没有受到东芝的重视（当时舛冈富士雄任职于东芝），反而是英特尔看出了这项技术的潜力，并在1988年将之商业化量产。

至于NAND虽然较晚问世，但却享尽了后至者的优势，不仅制造成本被大幅改良，同时写入的速度和单位储存的面积，也有了大幅的提升。而在那个PC市场正要起飞的时代，NAND可说是完全符合装置对于高速储存的需要，也因此NAND的市场一发不可收拾。
 

然而到了5G和物联网时代之后，这个市场思维开始有了变化，比起写入速度，读取变得更加重要。这一切都得从NOR和NAND的本质差异说起。

由于在功能与应用上的不同，NOR后来被称为“编码型快闪记忆体”，而NAND则称之为“储存型快闪记忆体”，用以作为其市场的区隔。但除了体积和读写速度的不同外，不同记忆单元的结构也带来了在系统设计与耐用性上的差异。

首先在系统I/O设计上，NOR因为使用专门的位址引脚，因此易于与其他的方案进行整合，在系统的设计上较为简易，同时应用程式也可以直接在其上执行；至于NAND，就要有额外的定址设计（暂存器），才能有效率的进行资料存取，因此设计就较为复杂。

而在可靠性方案，NOR的写入和读取都是以独立记忆单元进行，因此系统在运行上先天就较为可靠和稳定；反之，NAND因为是成块处理又属随机分布，比较容易出现坏快，而且很仰赖控制器来稳定读写，因此系统本质上就比较不稳定，自然可靠度也较低。

有了这种先天体质的差异，NOR的重要性在近期也因此备受注目，尤其是在5G基地台、汽车电子，以及高性能的工业应用上。这类型的应用十分强调系统的稳定性，同时也着重读取的速度（程序的反应速度），相当适合采用NOR快闪记忆体解决方案。
 

不过NOR Flash本身也有规格之分，也就是序列式（Serial）和平行式（Parallel），以及整合SRAM的多晶片封装（MCP）。目前则以序列式的产品市场比重最高。

所谓的序列式，则是指采用SPI同步传输介面的NOR记忆体产品。这类型的产品在I/O的硬体结构设计上较为简单，同时传输的速度也较快，特别是对于嵌入式产品系统来说，使用SPI介面的NOR记忆体在PCB上所需要的导线较少，因此有助于减少PCB的使用空间，进而缩减装置的体积，这对于物联网装置来说，是十分有利的特色。

汽车也是目前另一个NOR记忆体的主要应用之一。在ADAS、车联网、自驾车等

新兴的汽车应用推动下，汽车的电子系统需要性能更强大的运算和储存解决方案，而NOR记忆体基于优异的读取速度和稳定性，就成了这些新兴应用的首选方案。

目前全球正在积极布建的5G基地台，同样也是看中NOR记忆体的读取速度和可靠度，在其系统内使用了大容量的NOR记忆体；另外，真立体声（TWS）无线蓝牙耳机也是目前正快速在消费性电子市场快速成长的NOR记忆体应用，所看重的，就是其易整合和讯号稳定快速的特性。

目前NOR记忆体的技术发展趋势，主要朝高容量、低功耗和小尺寸三个方向发展。

在高容量方面，由于自驾车和5G基地台这类高速高频宽的应用，对于程序运行的速度有较高的要求，同时所处理的数据量也较大，因此需要较高的NOR记忆体容量。以基地台来说，所需要的容量至少是1GB起跳，而目前市场上能供应此容量的业者十分稀少，主要以台湾的旺宏与美国的美光为主。

不过由于结构的限制，NOR记忆体微缩不易，而且市场和成本也难以支持制成再下探，因此目全球最小的NOR制程只到45奈米。旺宏电子也宣布，将不会再研发55奈米以下的NOR记忆体技术。

 低功耗是NOR记忆体的另一大发展趋势，尤其对工业和物联网等装置来说。