QLC 技术大突破 写入寿命比 SLC 还多 ?
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-12-09
QLC 技术大突破 写入寿命比 SLC 还多 ?
IBM QLC 新技术可实现 1.6 万次 P/E 擦写
为追求更大容量、更低价格，现时不少主流级 SSD 产品都转用 QLC NAND Flsh，但让人担心的是 QLC 的 P/E 擦写次数非常低，最多也能做到约 800~1,000 次，有够短命，不过 IBM 正在研发全新的 NAND Flash 控制器，优化算法可以将 QLC NAND Flash 的 P/E 擦写次数 16,000 次，甚至比 SLC 还要多，有够夸张。
首次我们要先知道一些 NAND Flash 基本特性，随着 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技术升级，由于需要更复杂的电压层级控制，令 P/E 寿命因而降低了，另外制程工艺升级亦会令P/E寿命下降。 
究竟下降有多严重呢 ? SLC 采用老旧的 5xnm 制程 P/E 寿命可达 11,000，但转用先进的 1xnm 制程，P/E 寿命会下降至只有约 5,000 次，和 3xnm的 MLC 的 P/E 寿命相约。
以上数据均为 2D NAND Flash 下的表现，换上 3D NAND Flash 更多层堆叠再加上较老旧的制程，寿命可能会好一点，但 QLC 如果技术没改进，最多寿命就是约 800~1,000 次。
IBM NAND Flash 事业群 CTO Andy Walls 公布，IBM 正研发全新的 NAND Flash 控制器，加入了监视、区分 NAND Flash 健康度的演算法，健康度较佳的 NAND Flash 会被放置经常暂存的收据，健康度变低的 NAND Flash 则会存放短期内不被变更的数据，透过此演算法令 QLC 写入寿命延长了 2X，再加上 IBM 的 Super SLC Cache 演算法，透过全新的压缩技术将 SLC Cache 实际容量提升了 3 倍，经优化后 TLC NAND Flash 可实现等效 18,000 P/E，QLC NAND Flash 则达至等效 16,000 次。
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