CMOS感光芯片

每个入射的光子能产生的电子－电洞对数目有限(这比例叫量子效率；quantum efficiency)，所以要增强图像的讯号，除了前述的3~6个CMOS中已经包含了信号放大器外，就是增加光电二极体的曝光面积，以增加讯号强度，但是制程微缩拿走了宝贵的面积。这与DRAM中的电容在制程微缩的过程中所遇到的两难问题类似－制程微缩逐渐剥夺储存电荷所需的电容面积，储存电荷降低进而降低了0/1状态的讯号强度。光学加诸于结构单元的限制较之于电容加诸于记忆体单元结构的要求严苛的多。电容在制程微缩之后还可以向上长以维持电容面积大致不变，CIS只能在结构尽其所能的收集光，以及增加光电转换效率。是以DRAM的制程推进虽然艰难，但是目前也到达1a节点(约14nm)，而CIS最精细的制程犹滞留在40nm，正待向28nm出发。
因为制程相似却落后于DRAM，CIS曾经被DRAM公司当成产品雁行梯队的次世代产品；晶圆厂在生产完先进世代DRAM、设备折旧完后，略加改装又可重披战袍生产最先进世代的CIS。过去的美光(Micron)这样做，现在的三星和SK海力士(SK Hynix)也这样做。
一个降低制程微缩带来受光面积减少冲击的方法是提高充填因子(filling factor)，意义是每个CIS单元中实际于用受光的面积，这与增加DRAM的单元效率(cell efficiency；晶片上实际用于记忆功能的面积比例)有异曲同功之妙。这是CIS产品重要的性能参数之一。
紧密的阵列排列是能提高画素的原因之一，然而紧密的排列容易造成邻近的单元讯号串扰(cross talk)，所以单元之间要有隔绝的手段，深沟隔绝(deep trench isolation)是现在常用的手段。但是噪音的来源可不只是隔壁单元。即使在完全无入射光的状况下，也可能有其他原因诱发的电流，叫暗电流(dark current)，这个需要在制程和结构下工夫。讯噪比(signal-to-noise ratio)是另一个重要的性能指标。
动态范围(dynamical range)也是一个性能指标。CIS在太亮或太暗的状况下会完全失去图像解析能力，最高和最低照度中间的工作区就叫做动态范围。宽广的动态区间显然是较好的性能。要扩大动态范围，除了在元件物理上下工夫外，另外要靠ISP拼凑各个小的标准动态区间，形成较宽广的动态区间。
低光表现(low light performance)是另一个指标，特别在工控、安控和自驾车领域的应用。当高画素的制程不断推进、画素大小低于0.7、0.6μm，但是需要在低光环境下有高灵敏度的CIS仍然停留在以0.13μm制程制作、3.0μm画素大小的范围。推到极致，单光子雪崩二级体(SPAD；Single Photon Avalanche Diode)也开始派上用场。这个元件可以侦测单一光子，用途之一是用于以光子的飞行时间(ToF；Time of Flight)协助3D成像，提供自驾车的判断。另一个用途更时髦，用于以光子为量子位元之量子计算机来测量单光子量子状态。
CIS产业与DRAM产业最大的不同是没有产业的产品标准，如DDR4或DDR5，所以竞争的不只是价格。虽然手机占了近2/3市场，但这个市场相对比较红海，排名第2、第3的工控/安控与自驾车市场却是整体市场成长最主要的驱动力。另外的市场就更细碎了，容许小厂家寻弁个别小生态区存活。虽然Sony及三星市场占比加起来近7成，但是产能不过十万片出头，这与其他次产业的绝对寡占有所不同。另外，光学的性质在这领域的重要性不亚于矽基的电子元件，新物质的发现和采用很可能改变市场秩序和竞争要素。前一阵子清华大学以二维材料二硫化钼(MoS2)做光受体的研究就受到广泛的注意。
这是个还算年轻的产业和市场，容许小的后起创新者加入。