异质封装趋势大起，应用材料新沉积系统获代工厂与DRAM厂采用

近年来异质封装等先进封装技术趋势大起，除晶圆代工、封测厂与国际IDM厂也积极抢进并扩充相关产能，而相关设备与材料供应业者看好此技术发展，均积极备战，身为全球半导体设备与材料龙头厂之一的美商应用材料也宣布，已经成功运用新的混合键合与矽穿孔技术升级异质晶片整合能力，并获得代工厂与DRAM厂采用。应用材料提到，新的沉积系统可提升运用矽穿孔技术所堆叠晶片的密度、效能、品质和成本，应用材料成功将材料、技术和系统，帮助晶片制造商运用混合键合（hybrid bonding）及矽穿孔（TSV）技术将小晶片整合至先进2.5D和3D封装中。这些新的解决方案，扩大了应材在异质整合（heterogeneous integration, HI）领域。
该公司也进一步表示，异质整合帮助半导体业者将各种功能、技术节点和尺寸的小晶片结合到先进封装中，使组合后的整体能作为单一产品的形式来运作。异质整合有助于解决产业所面临的挑战，这些挑战部分起因于高效能运算和人工智慧等应用对电晶体的需求以指数级速度成长，而传统的2D微缩速度趋缓且变得更加昂贵。异质整合技术是全新攻略的核心要件，使晶片制造商能以新的方式改善晶片的功率、效能、单位面积成本与上市时间（PPACt）。
应用材料目前是异质整合技术最大供应商，提供经过优化的晶片制造系统，包括蚀刻（ETCH）、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、电镀（ECD）、化学机械研磨（CMP）、退火与表面处理。
该公司半导体产品事业群副总裁暨HI、ICAPS（物联网、通讯、汽车、电源和感测器）和磊晶技术部门总经理桑德．瑞马摩西（Sundar Ramamurthy）表示：“异质整合技术正快速发展，起因于传统2D微缩已不能同时改进效能、功率和成本，而异质整合则能协助晶片和系统公司突破此一限制。我们最新的异质整合解决方案推进了这些产业的最新技术，可以在2.5D和3D结构中配置封装更多的电晶体和导线，以提高系统效能，降低功耗，最小化尺寸并加快上市时间。”
应用材料的介电质和金属沉积新技术，Producer InVia 2 CVD系统是新的化学气相沉积（CVD）制程，在不断增加的各种TSV应用，提供介电衬垫均匀性和电气特性稳定性（robust），生产率也高于原子层沉积（ALD）技术，因此降低了TSV的每片晶圆的成本。Endura Ventura 2 PVD物理气相沉积系统，则有高达20：1的深宽比，使其广获采用的前代方案能延伸到TSV应用中，且获得代工/逻辑晶片制造商和所有主要DRAM生产商所采用。
至于应材最新一代的Producer Avila PECVD电浆辅助化学气相沉积系统，是针对TSV的导孔“露出”（reveal）制程应用而设计的。在TSV的制程中，晶圆与暂时的玻璃或晶矽载体暂时性键合，然后透过CMP和蚀刻进行薄化，直至触及TSV。完成TSV露出步骤之后，运用等离子增强的（plasma-enhanced）CVD技术沉积一个薄的介电层，藉此将TSV之间以电气相互隔离。