HBM与传统DRAM、NAND制程封装的区别

       HBM是韩国SK海力士于2013年开发的新型存储结构。这是一种通过层叠多个DRAM晶片来提高数据处理速度的技术。目前受到关注的AI需要处理大容量数据，而HBM作为最用于AI的临时存储器已开始被采用。     
      用于长期保存数据的NAND型记忆卡的层叠技术是在电路形成工序的“前制程”中层叠存储元件。而HBM是在作为组装工序的“后制程”中层叠DRAM晶片，利用电子电路将多个半导体晶片连接起来。  
      据称，通过这种方法，能够以三维结构在半导体封装内布满电子电路，使数据处理速度提高到普通DRAM的10倍以上。SK海力士的第5代产品“HBM3e”（预定2024年启动量产）的数据处理速度可达到每秒1.15TB （太位元组）。   
      HBM技术之所以受到关注，是因为机器学习型AI不断普及。大容量数据处理需要超高速DRAM。 
      SK海力士正与AI半导体大企业美国英伟达合作，推进HBM开发。英伟达的图像处理半导体（GPU）同时处理大容量数据的性能出色，起辅助作用的DRAM也需要具有高速大容量的处理性能。 
      在DRAM领域占4成以上份额的三星电子同样致力于HBM的研发。由于并不是在前制程减小电路线宽的“微细化”，而是考验晶片层叠技术，因此后制程也越来越重要。三星在日本横滨市新设半导体开发基地也是为了与日本材料厂商深化合作，以确保HBM技术。