业内新闻

存储芯片涨价已成必然，机构预判行业供不应求格局持续至2028年 2026-06-19

DRAM与SSD需求双轮驱动，模组厂威刚营收创新高 2026-06-19

铠侠判断闪存超级周期延续至 2028 年，AI 驱动存储需求实现结构性增长 2026-06-18

Silicon Motion 明年推出 PCIe 6.0 SSD 控制器，2027 年八成闪存产能将供给 AI 数据中心 2026-06-18

2026年下半年零售SSD渠道库存基本消耗完毕，消费级SSD几乎被系统业者采购一空 2026-06-17

2026年Q2存储市场供需紧缺，DRAM与闪存价格分化大幅上涨 2026-06-17

代理型AI引发内存供需缺口，半导体设备牛市有望延续至2028年 2026-06-17

苹果Siri AI全面升级，进一步加剧移动端存储紧缺 2026-06-17

三星加速先进DRAM工艺迭代，1d DRAM明年启动量产筹备 2026-06-17

AMD与苹果联手推动架构革命，闪存挑战DRAM成本壁垒 2026-06-16

小众存储器价格飙升，NOR与SLC NAND上半年涨幅均翻倍 2026-06-16

英睿达退出消费级市场后的保修现状与行业启示 2026-06-16

财报前迎多重利好：机构看好内存产业景气延续与估值重塑 2026-06-16

行业周期从剧烈波动转向温和增长与分叉，供应紧张局面将持续到2027年 2026-06-16

美光业绩狂飙，全球扩产计划浮出水面 2026-06-16

市场分化加剧：高端HBM供不应求与低端eMMC缺口扩大 2026-06-16

英特尔18A-P工艺代工苹果旧款芯片，短期无法撼动台积电主导地位 2026-06-16

摩根大通：存储器迎来“更高更久”的超级周期 2026-06-15

DDR4供给短缺压力凸显，行业全面转向DDR5发展 2026-06-15

陈立白：存储周期逻辑颠覆，算力刚需推动DRAM缺货或延续至2028年 2026-06-15

先进封装成算力突围关键：突破光刻物理极限，补齐算力短板 2026-06-15

先进封装产能外溢：英特尔EMIB定位CoWoS补充产能 2026-06-15

长鑫科IPO注册正式生效,引领3万亿产产链 2026-06-14

SK海力士警告存储器供应紧张的局面仍将持续数年,加速推进HBM4E 2026-06-14

专访美光CEO：人们低估了制造存储器的难度与周期 2026-06-14

NAND市场迎超级周期：QLC技术爆发与价格结构性上涨 2026-06-14

DDR5价格高位难跌：英特尔2027年加码支持DDR4的LGA1700平台对冲内存价差 2026-06-14

事故无碍扩张节奏：SK海力士冲刺产能技术双线，筹备纳斯达克上市 2026-06-14

NAND闪存单季大涨75%，台系主控厂商群联业绩爆发 2026-06-14

英伟达Vera Rubin放量引爆全球储存荒，海外存储龙头股价大幅走高 2026-06-14

DRAM价格近乎翻倍：行业告别周期，进入结构性重塑 2026-06-14

AI封装需求爆发，三星电机硅电容抢占细分龙头 2026-06-14

摩根士丹利态度大反转：从看空寒冬到坚定看多 AI 内存周期 2026-06-13

AI 催生内存供需缺口，头部韩厂明年前产能售罄，KB证券预计业绩大幅走高 2026-06-13

日本六氟化钨产能归零，头部晶圆厂直面气体缺口 2026-06-12

无尘室空间短缺成核心瓶颈：多家投行预判景气延续至2028年 2026-06-12

野村看多全行业上行：AI内存需求将迎来跨越式增长 2026-06-12

SK海力士双重经营风险：基建罢工叠加美股ADR上市承压 2026-06-12

半年多起安全事故：SK海力士产线安全管控存在漏洞 2026-06-12

一周两起火情：SK海力士清州HBM产线安全漏洞集中暴露 2026-06-12