技术资料
硅光子原理是什么?为何台积电、日月光都瞄准?
2024-04-29
Kioxia计划2031年,实现千层3D NAND存储器量产
2024-04-07
MRAM将带来下一波的储存浪潮
2024-02-01
NANDFlash和NORFlash的异同
2024-01-02
Canon 最新技术的 NIL 奈米压印微影是什么
2023-11-17
什么是EUV?它能制造先进制程晶片,但有3个缺点需要克服
2023-10-16
HBM与传统DRAM、NAND制程封装的区别
2023-09-21
CXL存储器扩充模组即将大爆发
2023-09-15
台积砸900亿建置 啥是CoWoS?
2023-07-25
异质封装趋势大起,应用材料新沉积系统获代工厂与DRAM厂采用
2023-07-13
3D NAND最多能到多少层?三星表示:2030年将进入1000层以上
2023-07-03
半导体制造朝3D结构移转
2022-08-23
量子通讯的中继器:量子存储器
2022-07-07
EUV光刻机最新路线图
2022-06-29
存储器最新发展路线图
2022-06-20
中国大陆手机厂商下修全年订单 投顾:补贴可望拉升需求
2022-05-30
D协会宣布新SD 9规范中的三项高级安全功能
2022-05-20
笔记本USB Type-C接口的非凡体验
2022-04-07
利用LPDDR5满足严苛的可靠性要求
2021-12-30
无电容的3D DRAM,潜力无限
2021-12-21
DDR5相关知识
2021-11-09
速率提高至8533 Mbps!JEDEC发布全新LPDDR5X内存标准
2021-08-02
MRAM能否助欧盟重新回到记忆体竞争队伍中?
2021-06-30
CMOS感光芯片
2021-04-29
uMCP将取代eMCP
2021-01-05
QLC 技术大突破 写入寿命比 SLC 还多 ?
2020-12-09
光刻机,打破ASML垄断还要多久?
2020-08-06
8400MHz 、512GB, DDR5 标准发布!! DDR5-4800 最快年内量产
2020-07-16
PLC SSD 超短寿命? 颗粒只能 35 次完全擦写!
2020-07-01
应用于3D-NAND Flash的全新电晶体:FanFET
2020-07-01
NOR记忆体朝向高容量、低功耗、小尺寸发展
2020-06-10
真的能用吗? 寿命更低的 PLC NAND Flash 记忆体即将登场
2020-06-02
SD 8.0标准发布:引入PCIe 4.0、最高速度达4GB/s
2020-05-20
新型存储简介
2020-04-01
新式3D互连可能更完美堆叠DRAM?
2020-03-11
MRAM制程的挑战
2020-03-03
强化行动装置应用 UFS 3.1支援快速写入/低耗能
2020-02-12
体积小、耗能低,新型磁存储器件有望解决AI“内存瓶颈”
2020-02-12
将圆形单元切开一半,但又可以提高容量?
2019-12-25
3D NAND将会无限堆叠?
2019-12-24
({next: {title:'技术资料',url: '/wap/lists.asp?menuid=39&msv=1&page=2'}})
发送给朋友
分享到朋友圈
分享到微博
菜单
首页
新闻
报价
行情
菜单
网站首页
业内新闻
报价中心
品牌资讯
周边资讯
技术资料
厂商链接
买卖信息
行情交流
招聘中心
客户留言
行情日评
行情周评