2018年7月份,美光和英特尔由于在3D NAND上技术路线的不同,宣布分手,其原因就在于美光决定放弃浮动栅极结构转向电荷陷阱结构。然而,英特尔在浮动栅极这条路上也并不孤独,近期,铠侠推出全球首款3D半圆形分裂浮动栅极闪存单元“Twin BICS Flash”采用的就是浮动栅极结构,试图在更小的尺寸内实现更高的存储密度。 3D NAND堆叠已达100+层,未来发展面临哪些挑战? 3D NAND自2013年发布以来就受到市场的高度关注,至今短短六年时间已经实现96层产品的大规模生产,预计明年将有100+层堆叠的产品面世。在SK海力士发布的最新技术路线图中显示,到 2025年将推出500层3D NAND,将在2030年推出800+层堆叠产品。